SK하이닉스 추월할 수 있을까?…삼성전자 AI용 메모리 '샤인볼트' 공개 - 한겨레

SK하이닉스와 AI용 메모리 시장 선점 경쟁

미국 실리콘밸리에서 20일(현지시각) 열린 ‘삼성 메모리 테크 데이 2023’ 행사장 현장 부스. 삼성전자 제공

삼성전자가 인공지능(AI)용 메모리로 각광받는 고대역폭메모리(HBM·에이치비엠) 차세대 제품을 공개했다. 집적도를 더 높인 디(D)램과 낸드 제품 개발 계획도 내놨다. 삼성전자는 20일(현지시각) 미국 실리콘밸리에서 열린 ‘삼성 메모리 테크데이 2023’에서 인공지능(AI)용 그래픽처리장치(GPU)에 필수적인 고대역폭메모리(HBM·에이치비엠) 신제품 ‘샤인볼트’(HBM3E)를 처음 공개했다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps(초당 기가비트) 속도를 제공해 초당 최대 1.2TB(테라바이트)의 데이터를 처리한다고 삼성전자는 설명했다. 이는 30GB(기가바이트) 용량의 초고화질(UHD)급 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 “현재 HBM3 8단과 12단 제품을 양산 중이며, 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다”고 밝혔다. 삼성전자와 에스케이(SK)하이닉스는 에이치비엠 시장을 두고 치열한 선점 경쟁을 벌이고 있다. 하이닉스는 지난 6월부터 인공지능 시장의 큰손인 엔비디아에 에이치비엠3 제품을 독점 공급하고 있다. 차세대 디램과 낸드 메모리 개발 계획도 내놨다. 삼성전자는 “차세대 11나노 디램을 업계 최대 수준의 집적도 구현을 목표로 개발 중”이라며 “10나노 이하 디램에서는 3차원 신구조를 도입해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획”이라고 밝혔다. 삼성전자는 지난 5월 12나노급 디램 양산을 시작했다. 낸드의 경우, 9세대 V낸드 제품에서 더블 스택 구조로 최고 단수를 구현해 내년 초 양산할 계획이라고 밝혔다. 낸드 메모리는 최대한 많은 데이터를 담기 위해 셀을 수직으로 쌓아 올린 제품으로, 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 핵심이다. 이정배 삼성전자 메모리사업부 사장은 “초거대 인공지능 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점”이라며 “확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 지속 선도하는 한편, 새로운 구조와 소재 도입을 통해 인공지능 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다”고 말했다. 김회승 기자 honesty@hani.co.kr

Adblock test (Why?)