美 중국 내 반도체 생산 제한 시사…삼성·하이닉스 영향 받나 - 전자신문

미국이 중국에서 가동 중인 우리나라 반도체 기업들의 기술 수준 제한을 시사해 귀추가 주목된다. 중국에서 D램과 낸드플래시 메모리를 생산 중인 삼성전자와 SK하이닉스에 영향이 우려된다.

앨런 에스테베스 미 상무부 차관은 지난 23일(현지시간) 한미경제안보포럼에서 “(삼성전자와 SK하이닉스 등) 기업들이 생산할 수 있는 반도체 수준에 한도(cap on level)를 둘 가능성이 크다”며 “지금 기업이 어떤 '단'의 낸드를 생산하고 있다면 그 범위의 어느 수준에서 멈추게 할 것”이라고 밝혔다.

여기서 언급된 '단'은 낸드 플래시 메모리 셀을 얼마나 높게 쌓느냐는 '적층' 수준을 의미한다. 단이 높을수록 낸드 기술 경쟁력이 앞선 것으로 평가받는다. 현재 삼성전자는 중국 시안에서 128단 낸드를, SK하이닉스는 다롄에서 96단과 144단 낸드를 만든다. '단'을 예로 들었지만 D램 역시 16나노(㎚)와 같은 기준을 세울 수 있다.

미국은 지난해 10월 대중 반도체 수출 규제에서 이같은 한도를 설정한 바 있다. △128단 이상 낸드 플래시 △18나노 이하 D램 △16나노 이하 시스템 반도체를 생산할 수 있는 장비와 기술을 중국에 공급할 경우 미 상무부 허가를 받도록 한 것이다. 단, 삼성전자와 SK하이닉스는 이 규제 적용을 1년 유예 받았다.

에스테베스 차관 발언은 앞으로 중국에서 생산하는 삼성전자와 SK하이닉스 제품이 제한 받을 수 있음을 시사한다. 유예 기간이 끝날 경우 기존 발표한 대중 기술 수출 규제에 따라 128단 이상 낸드와 18나노 이하 D램을 중국에서 만들지 못할 가능성이 제기된다.

삼성전자는 중국 시안 공장에서 전체 낸드 생산의 40%를, SK하이닉스는 D램의 절반을 우시 공장에서 만들고 있다. 중국 공장이 기술 제한을 받게 되면 글로벌 생산체계를 다시 재편해야 해 삼성전자와 SK하이닉스에는 적지 않은 부담이 될 전망이다. YMTC 등 중국 메모리 기업이 200단 이상 낸드 기술을 확보하며 맹추격 중인 상황에서 우리 기업의 경쟁력 약화 가능성도 제기된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 아직 미국의 규제가 명확하지 않은 만큼 상황을 예의주시하겠다는 입장이다.

권동준기자 djkwon@etnews.com

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